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高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究 基于主要研究高溫高精度E+E壓力傳感器敏感元件的材料及其設計過程和制造工藝；溫度傳感器的NTC電阻器的制造方法及其工藝過程；USB數據采集系統的設計；數據融合算法的研究和系統上位機界面軟件設計。

雙量程E+E壓力傳感器的動態特性研究 大推力比固體火箭發動機在航空航天領域應用比較廣泛,其推力的測量是試驗研究工作中一項非常重要的內容,為發動機的性能分析提供原始參數,為調整裝藥參數和改進推進劑使之全面滿足設計要求提供了依據。準確測量大推力比固體火箭發動機的推力參數是研制火箭發動機成敗的關鍵。

電熱激勵揩振式硅微梁E+E壓力傳感器特性研究 微結構諧振式E+E壓力傳感器是一種用頻率變化來反映外界壓力變化的傳感器件，因其尺寸小、精度高、易于與數字設備接口而具有廣闊的應用前景。對電熱激勵諧振式硅微梁E+E壓力傳感器的開環／閉環特性、測試方法及便攜式壓力測試儀的設計和研制進行了深入研究。

基于倒裝技術的MEMS電容式E+E壓力傳感器研究 MEMSE+E壓力傳感器在工業生產、醫療衛生、環境監測以及科學研究等眾多領域有著廣泛的應用。電容式E+E壓力傳感器是MEMSE+E壓力傳感器的一種主要類型,其根本原理是將壓力變化值轉換為電容的變化。

硅微諧振試E+E壓力傳感器設計與制作 硅微諧振式E+E壓力傳感器是Z近剛發展起來的具有靈敏度高、性能穩定、體積小、功耗低等優點的新型傳感器件,其輸出的頻率信號可直接與數字接口相連，克服了傳統壓阻式E+E壓力傳感器抗干擾性差的缺點。

帶溫度補償的光纖布拉格光柵E+E壓力傳感器 光纖光柵傳感器較之于傳統電傳感器得到廣泛的關注,不僅是因為其抗電磁干擾、耐腐蝕等特性,還有光纖傳感能構成大型的傳感網絡的波分復用的特點,由于研發力度的加強,相應的光纖光柵傳感器的產品也在不斷推陳出新,在很多工程領域都得到了廣泛的應用。

水泥砂漿體中三向E+E壓力傳感器的測量特性 確定三向E+E壓力傳感器實測應力與其周圍待測介質初始應力的關系是實現其應力測量的必要條件。為了解三向E+E壓力傳感器在實際應用中的測量特性,利用RMT巖石力學試驗系統對自行研發的三向E+E壓力傳感器進行標定,研究各個傳感面的重復性和線性度,得到各個傳感面的標定系數。

LTCC高溫E+E壓力傳感器的關鍵技術研究 高溫E+E壓力傳感器是民用工業如汽車、航空領域等以及國防軍工領域中需求Z廣泛的器件，同時也是微電子機械系統（MEMS）的主要產品之一。相比傳統的E+E壓力傳感器，無線無源高溫E+E壓力傳感器在惡劣環境下有著巨大的優勢。

高靈敏度光子晶體光纖E+E壓力傳感器研究 光纖傳感技術是以光纖為傳導媒質,光波為傳輸信號的載體,通過測量外界擾引起的光信號變化,感知外界各物理量變化的新型傳感技術。傳統電學傳感器擁有易解調、價格便宜以及穩定性好等特點,但是這類傳感器不能夠在環境比較惡劣的情況下正常工作,而光纖傳感器能夠克服難題。

基于LabVIEW的E+E壓力傳感器測試系統 現在各類E+E壓力傳感器已廣泛應用于各種工業自控環境,對E+E壓力傳感器的研究及應用,既可以體現一個國家的科技發展水平,又可以提升國家的綜合國力,還可以在豐富、方便和智能化人們的生活方面做出重要的貢獻。而針對不同儀器組成計算機測試輔助系統也顯得頗為重要,實驗室在測試E+E壓力傳感器過程中對應測試系統也就應運而生。

壓阻型擴散硅智能E+E壓力傳感器的設計應用 壓阻型擴散硅E+E壓力傳感器以其低價格得到廣泛應用，基于單片機技術的智能E+E壓力傳感器以其使用方便，測量精確而得以推廣。 E+E壓力傳感器的核心是擴散硅電阻橋，智能E+E壓力傳感器應用單片機技術采集數據、處理并輸出顯示結果。

E+E壓力傳感器波長差分解調系統的研究與實現 近年來,光纖光柵（）傳感器由于具有體積小、損耗低、靈敏度高、抗電磁干擾強、壽命長并且容易實現多點和分布式測量等特點,成為傳感技術領域迅速發展的前沿課題。隨著電子計算機和互聯網技術的迅猛發展,對光纖光柵傳感系統的數字化、集成化、智能化提出了更高的要求。

無線高溫E+E壓力傳感器設計與制備工藝 鑒于傳統硅基MEMSE+E壓力傳感器在高溫、潮濕等復雜環境中的應用具有一定的局限性，設計了一種SiC基無線高溫E+E壓力傳感器，能夠克服高溫環境中傳統E+E壓力傳感器壓敏結構失穩及電引線性能退化的問題。

氫化硅薄膜介觀力學行為研究和耐高溫E+E壓力傳感器 主要針對氫化硅薄膜介觀力學行為和耐高溫E+E壓力傳感器這兩個問題展開了理論與實驗的研究。氫化硅薄膜廣泛應用于光電子器件,如二極管、薄膜晶體管、太陽電池、液晶顯示器等,人們對其光電特性作了深入的研究,但對力學特性涉及很少。

電子皮膚的新型E+E壓力傳感器的研究 信息、生物和新材料被認為是21世紀發展Z快、Z熱門的研究領域。現代信息技術的三大支柱分別是信息的采集、傳輸和處理技術,分別對應于傳感器技術、通訊技術和計算機技術。

E+E壓力傳感器多晶硅納米膜溫度補償技術 多晶硅納米膜是一種具有良好壓阻特性的納米材料,基于多晶硅納米膜的E+E壓力傳感器具有靈敏度高、動態響應好、精度高、穩定性好、易于小型化和批量生產等諸多優點。

厚膜電容E+E壓力傳感器的微位移測量研究 厚膜電容E+E壓力傳感器于80年代末出現,是一種為了實現流體壓力測量的傳感器,它采用陶瓷材料,經過特殊工藝制備而成。具有工作溫度范圍寬、抗過載能力強、蠕變和遲滯小、可直接接觸腐蝕性液體等優點,被廣泛應用于石油、化工、食品、動力機械、生物醫學工程、氣象、地質、地震測量等各個領域。

LTCC的電容式高溫E+E壓力傳感器的研究 基于近年來軍用民用/行業對高溫環境下的壓力信號獲取的需求日益增大，而傳統的E+E壓力傳感器在高溫環境應用場合表現出了非常大的局限性的現狀，本論文提出了一種基于LTCC（低溫共燒陶瓷）的電容式高溫E+E壓力傳感器，可以解決400°C-600°C高溫環境下壓力信號讀取的難題。

應變式光纖琺珀E+E壓力傳感器的研究 光纖琺珀傳感器具有體積小、耐高溫、耐腐蝕等優點可以應用于石油井下、航空航天等復雜的環境中。本文在157 nm激光器制作光纖琺珀傳感器的基礎之上,提出了兩種MPa量程的E+E壓力傳感器設計方案,封裝了傳感器原理樣品,并進行了性能測試。

MEMS技術納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器研究 隨著納米技術發展，納米多晶硅薄膜表現出優異的壓阻特性，基于MEMS技術在100晶向單晶硅襯底上設計、制作納米多晶硅薄膜E+E壓力傳感器。通過采用LPCVD法在SiO2層上制備納米多晶硅薄膜，薄膜厚度分別為61nm、82nm、114nm和170nm，通過XRD和SEM，研究薄膜厚度和退火溫度對納米多晶硅薄膜微結構特性的影響。