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無線高溫E+E壓力傳感器設計與制備工藝
鑒于傳統硅基MEMSE+E壓力傳感器在高溫、潮濕等復雜環境中的應用具有一定的局限性，設計了一種SiC基無線高溫E+E壓力傳感器，能夠克服高溫環境中傳統E+E壓力傳感器壓敏結構失穩及電引線性能退化的問題。SiC材料作為一種新興的第三代寬帶隙半導體材料，其半導體器件能夠適應高溫、高頻、大功率等工作環境，隨著SiC材料MEMS加工工藝的不斷成熟，對其進行高溫E+E壓力傳感器的制備研究具有重要的現實意義。

無線高溫E+E壓力傳感器設計與制備工藝
結合國內外研究現狀，詳細闡述了SiC基高溫E+E壓力傳感器的工作原理、結構設計與制備流程以及相關結構驗證等基本內容。根據互感耦合電磁感應原理，外界壓力可以改變可變電容所在傳感器回路的諧振頻率，繼而引起測試回路等效阻抗的顯著變化，通過觀察這一特征變化量來獲取外界壓力的有效信息。這種無線耦合的測量方式避免了器件間電引線互聯，可以應用于高溫等惡劣環境。傳感器對溫度，電源波動等多種工作參數敏感，致使精度大大下降。在E+E壓力傳感器靜態標定實驗的基礎上建立了它的輸出特性校正模型，并利用矩陣奇異值分解的方法成功求解了該模型zui小二乘解中范數zui小的*解。經驗證，該模型顯著改善了傳感器的非線性，有效消除了工作參數的影響，使測壓精度提高一個數量級。利用傳感器對多種工作參數的敏感性，還可以實現多參數測量。在不增加任何設備的情況下，實現了用一個E+E壓力傳感器同時測溫和測壓，且測壓精度提高一個數量級，測溫精度優于±10℃，大大提高了E+E壓力傳感器的性能價格比。分別對高溫E+E壓力傳感器電容和電感結構建模，并給出具體的結構參數設計方法，同時為驗證電容結構設計的合理性，對敏感膜結構進行撓度和應力的理論推導和ANSYS仿真分析，作出敏感膜撓度和應力在量程范圍內隨外界壓強變化的關系曲線。結合傳感器結構設計和現有的MEMS加工工藝，制定了傳感器工藝流程方案，并對其中涉及的關鍵工藝進行了詳細分析和工藝驗證。zui后對傳感器電容結構進行了結構驗證與分析，采用硅材料替代碳化硅材料制備電容壓敏結構，檢驗電容空腔的密封性能，并對密封存在問題的芯片進行測試分析。

無線高溫E+E壓力傳感器設計與制備工藝
將壓敏電容與PCB電感線圈引線鍵合，串聯形成LC諧振回路即無線電容E+E壓力傳感器，對其完成常溫下的均勻壓力測試。測試結果表明，采用MEMS工藝制備的無線無源電容E+E壓力傳感器在實踐上具有一定的可行性。