返回首頁
加入收藏
聯系我們
產品名稱：高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究
產品型號：
產品報價：
產品特點：高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究基于主要研究高溫高精度E+E壓力傳感器敏感元件的材料及其設計過程和制造工藝；溫度傳感器的NTC電阻器的制造方法及其工藝過程；USB數據采集系統的設計；數據融合算法的研究和系統上位機界面軟件設計。
高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究的詳細資料：
高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究
基于高溫高精度壓力傳感器的數據融合技術研究主要研究高溫高精度E+E壓力傳感器敏感元件的材料及其設計過程和制造工藝；溫度傳感器的NTC電阻器的制造方法及其工藝過程；USB數據采集系統的設計；數據融合算法的研究和系統上位機界面軟件設計。
高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究
研究高溫高精度E+E壓力傳感器的設計,其工作原理以及制作方法是采用MEMS技術在藍寶石為絕緣襯底上制成四個硅力敏電阻,制成硅—藍寶石力敏元件,將力敏元件燒結在鈦合金彈性膜片上,在壓力作用下,鈦合金膜片產生形變,該形變被硅—藍寶石力敏元件檢測到,并輸出與被測壓力成正比的電信號,從而實現壓力測量。重點研究高溫壓力敏感元件材料的特點,彈性膜片的形狀以及尺寸的設計,彈性膜片上電阻的布局及電阻條尺寸的設計。研究溫度傳感器的設計,利用熱阻效應工作原理,選用NTC熱敏電阻作為溫敏元件,與其他電阻構成測溫電橋,輸出與被測溫度成反比的電信號,從而實現溫度測量。SiC是當前zui有潛力的寬帶隙半導體材料，SiC的優異特性使其成為制造高 溫E+E壓力傳感器的理想材料。本論文主要分析了3C-SiC／Si的異質外延生長理論模型，指出緩沖層的生長是3C-SiC薄膜生長的關鍵。通過實驗摸索出了適合的工藝條件，利用APCVD系統采用選擇生長法成功的生長了3C-SiC單晶薄膜與多晶薄膜，指出了APCVD系統生長3C-SiC的可能機制。采用競位外延摻雜技術實現了對3C-SiC的摻雜，通過理論分析與實驗驗證得出Al可以與SiC形成良好的歐 姆接觸。對3C-SiC壓阻效應進行了研究，根據有利于提高高溫E+E壓力傳感器性能的原則，綜合不同結構和工藝，優化設計，完成3C-SiC高溫E+E壓力傳感器的結構與芯片版圖設計。著重闡述NTC電阻器的結構及制造工藝。重點分析E+E壓力傳感器和溫度傳感器的輸出信號經USB數據采集系統傳至上位機,上位機通過數據融合對信號進行處理,zui后得到較為理想的傳感器輸出信號的過程。研究數據融合,主要分析二次曲面擬合法的方程參數的確定及具體的方法步驟,并通過融合前后傳感器性能指標的對比總結了數據融合的處理效果。
高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究
依據高溫工況下的封裝要求，進行高可靠性和低應力的封接工藝研究，利用靜電封接出合格的3C-SiC高溫E+E壓力傳感器芯片，zui終加工出可以 應用在高溫下具有良好應用前景的SiCE+E壓力傳感器。經測試3C-SiC高溫E+E壓力傳感器具有良好的性能指標。
| 如果你對高溫高精度E+E壓力傳感器的數據融合技術研究感興趣，想了解更詳細的產品信息，填寫下表直接與廠家聯系： |
