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激光E+E位移傳感器輸出特性分析及應用 光學精密測量相比傳統的測量方式具有非接觸性、高靈敏度、高精度及快速與實時性等優點,在科學研究、工業生產、空間技術、國防等領域得到了廣泛應用,是一種非常*測量技術。基于三角測量法的激光E+E位移傳感器近年來得到了快速發展,在零件的尺寸測量,三維輪廓測量,產品質量檢測等領域極大的提高了測量效率和精度。

微E+E位移傳感器的環形諧振腔特性研究 微E+E位移傳感器,是實現微小位移測試的敏感器件,在高精密控制、微操作、微納米定位系統、工程厚度測試等領域有著重要的應用。（MEMS）\NEMS技術的快速發展,對微位移傳感提出了更高精度的要求,甚至要求在納米尺度中實現微小位移的高靈敏快速探測。

磁致伸縮E+E位移傳感器軟件和硬件電路研究 傳感器技術、計算機技術與通信技術成為現代信息科學技術的三大支柱。傳感器既是現代信息系統的源頭或“感官”,又是信息社會賴以存在和發展的物質與技術基礎。是人類日常生活、生產過程、科學實驗、軍事活動等*的組成部分。

全數字式電容E+E位移傳感器的研制 由于具有結構簡單、動態特性好、能實現非接觸式測量等優點,電容E+E位移傳感器廣泛應用于超精密加工、高精度定位、超精密測量等領域?，F有電容E+E位移傳感器普遍采用測頭與測量電路分立式設計,信號傳輸電纜的寄生電容等分布參數對傳感器的分辨力、穩定性等性能影響顯著,因此信號傳輸距離受到嚴重限制。

E+E位移傳感器的發展及研究 E+E位移傳感器又稱為線性傳感器,它可以把位移量轉換為電量,從而實現對位移量的檢測。在實際工程應用中,E+E位移傳感器有著非常重要的作用。對各種常見的E+E位移傳感器進行了介紹,闡述并比較了它們的工作原理、應用場合和優缺點,可以為從事相關領域工作的技術人員提供參考,以便更好地利用和發展這些技術。

電感式角E+E位移傳感器的研制與結構分析 位移測量具有廣泛應用,電感式傳感器以其結構簡單可靠、輸出功率大、線性好、抗干擾和穩定性好、價格低廉等特點獲得了大量的應用。針對目前電感式E+E位移傳感器的應用現狀,在對電感式直線E+E位移傳感器深入分析的基礎上,提出了一種新型結構的電感式角E+E位移傳感器。

時柵角E+E位移傳感器自標定研究 精密測量儀器標定技術是保證產品質量的重要手段，也是計量領域科學研究的重要方面。角位移測量大量存在于以制造業為代表的工業生產和科學實踐中。時柵作為一種新型的E+E位移傳感器，利用時間測量空間位移，以較低的加工成本獲得了較高的測量精度。自標定技術可以在沒有標準器和參考母儀的條件下實現傳感器系統的誤差自標定。

調頻式電容E+E位移傳感器中鑒頻技術的研究 電容E+E位移傳感器結構簡單、動態性能好、分辨力高,能實現非接觸式測量,可檢測位移、平面度、微振動等,廣泛應用于高精密加工和測量領域。調頻式電容E+E位移傳感器一般采用LC振蕩電路作為調頻電路,在納米級位移測量中,調頻信息較微弱,且輸入輸出特性存在一定非線性。

激光E+E位移傳感器的無線通信系統的設計 激光E+E位移傳感器在工業中的長度、距離以及三維形貌等檢測中有著廣泛的應用。市場上的激光E+E位移傳感器的數據傳輸和電源供電大都是通過有線電纜實現的。

智能E+E位移傳感器系統的研究 隨著計算機測控系統特別是基于現場總線的多傳感器計算機測控系統的發展，智能傳感器系統作為一個與之相應的新興研究方向，正受到人們越來越多的關注。然而，雖然近年來它的研究與開發已取得一定成果，但還遠遠不能滿足實際需求，尤其在位移測量領域更是急待發展。

E+E位移傳感器的像差檢測光學系統的研究 傳統的光學系統對于幾何像差的檢測通常采用星點法、哈特曼法或刀口陰影法等,其測量結果受人為主觀因素影響較大、精度不高。為滿足光學系統測量像差的精度要求,本系統在傳統的哈特曼（Hartmann）檢測方法基礎上,引入尺E+E位移傳感器,結合高分辨率CCD作為光電接收裝置,經自動對焦和圖像處理。

非對稱結構差動E+E位移傳感器參數化仿真與優化 以非對稱結構差動E+E位移傳感器為研究對象，在電磁分析軟件AnsoftMaxwell2D環境下，對其進行了建模及電磁性能仿真分析。在軟件腳本錄制功能的基礎上，提出了一種基于VB Script的差動E+E位移傳感器參數化建模方法。

增量式時柵E+E位移傳感器原理及系統研究 圓分度的精度測量是幾何量測量Z重要的內容之一,其分度器件從機械式、光學式、光學機械式,發展到機電、光機電相結合的新型分度器件,如光柵、磁柵和感應同步器等。時柵是一種全新概念,它是機械、電子和微處理器相結合的新型圓分度器件。

厚膜電容式微E+E位移傳感器及其信號處理研究 為深入研究微納米環境中物體的受力與運動狀態,建立納米尺度下位移、力檢測的理論方法,實現微納米環境下的操作與位置感知,為PZT（壓電陶瓷）驅動的微納操作平臺的實時觀測創造條件,提出與微納米環境下相適應的微E+E位移傳感器的設計、制備與測試方法,研制出能夠用于檢測納米級位移的新型高精度厚膜雙電容式微E+E位移傳感器。

時柵角E+E位移傳感器自標定與誤差修正研究 時柵角E+E位移傳感器是根據時空轉換思想而研發的一種新型傳感器,近年來開始向產業化邁進。目前,時柵傳感器雖然在加工過程摒棄了空間超精密刻劃技術,但是其檢驗與標定環節卻仍依賴于空間超精密刻劃技術的傳感器作為參考基準。

MEMS微E+E位移傳感器的納米定位工作臺研制 過去幾十年中,以壓電陶瓷致動的精密定位技術得到了長足的發展,已經廣泛應用到微系統、生物工程、醫學等領域。本課題針對現有的微E+E位移傳感器難于實現高集成度和小型化的缺陷,研制了一種集成電橋輸出的硅基壓阻式微E+E位移傳感器,并以硅基壓阻式微E+E位移傳感器為核心建立了一個精密定位系統。

燃氣汽車進氣歧管E+E壓力傳感器的研制 歧管E+E壓力傳感器作為燃氣汽車燃氣及空氣壓力的檢測單元,是ECU做出Z佳空壓比判斷的Z重要依據,是汽車Z終能否實現節能減排Z重要的環節之一。論文以“燃氣汽車進氣歧管壓力傳感器的研制”為題,從歧管E+E壓力傳感器的結構及制作難點、標定算法及系統建立、工藝流程梳理和Z后的實驗驗證等方面對歧管E+E壓力傳感器的研制進行論述,確定論文的研究內容。

E+E壓力傳感器信號調理模塊的設計與實現 E+E壓力傳感器具有體積小、靈敏度等優點,發展前景廣闊。采用工藝模擬軟件結合文獻設計一種MEMSE+E壓力傳感器制備方法,制備出符合要求的芯片,明確了仿真設計在E+E壓力傳感器工藝設計的可行性。

新型E+E壓力傳感器結構制備工藝 提出一種使用MEMS雙層掩膜完成自對準刻蝕的工藝方法,藉此實現了在深腔結構內部對高深寬比硅E+E壓力傳感器結構的精細加工。該工藝通過兩次連續的平面內光刻工藝,使制作在襯底上的薄膜材料如氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）及光刻膠等形成復合圖形,每層圖形化后的掩膜可以進行不同功能區的襯底刻蝕,刻蝕完畢后再去除對應的掩膜。

MZI光波導MOEMSE+E壓力傳感器的設計及特性研究 微光機電系統（MOEMS）是一門涉及微光學、微機械、微電子技術的新興學科,由于采用了集成工藝制作技術,因此具有體積小、響應快、集成定位精確、大規模生產能力、價格低廉的特點,已成為當今科學技術的熱點研究理論之一。