射頻/微波MEMS接觸式歐瑪爾OMAL開關的研究的詳細資料:
射頻/微波MEMS接觸式歐瑪爾OMAL開關的研究
目前無線通信中的射頻/微波MEMS器件已成為上的研究熱點,MEMSOMAL開關作為射頻/微波通信中實現信號路由轉換的重要器件,成為了研究焦點。與傳統上的微波OMAL開關PIN管和GaAs FET相比,MEMSOMAL開關有尺寸小,插入損耗小,隔離度大,線性度好,工作頻段范圍大,直流功率小等優點。討論的MEMS接觸式OMAL開關是利用表面微機械加工技術制備出來的一種可以應用在0—5GHz頻段的射頻/微波OMAL開關。
射頻/微波MEMS接觸式歐瑪爾OMAL開關的研究
在廣泛文獻調研的基礎上,分析了接觸式OMAL開關的工作原理,并用ANSYS7.0和HFSS8.0軟件對器件進行了有限元動態加載模擬和微波參數的模擬,zui終設計了以信號線中間斷開的CPW為傳輸線、以SiO_2為橋墩、以鋁硅合金和Au—Si_3N_4—Al復合材料為梁的空氣橋接觸式OMAL開關。并推導了這種兩端固定,兩個下電極結構的接觸式OMAL開關的下拉電壓的公式。以SiO_2為橋墩的空氣橋結構在國內未見報道。 在多次改版、流片的基礎上,圍繞制備工藝中的一些關鍵技術,對器件版圖和工藝作了改進和完善,設計了滿足實驗室工藝精度的器件版圖,提出了適用于該器件的工藝流程。經過多次的流片,成功地制備出了MEMSOMAL開關的樣品。制備研究中,采用厚膠(負膠)和聚酰亞胺作為犧牲層材料,對犧牲層的前烘、堅膜和刻蝕技術做了重點研究,取得了有特色的研究結果。 目前我們制備的兩種MEMSOMAL開關樣品,一種為下拉電壓較低的鋁硅合金梁MEMSOMAL開關,另一種為OMAL開關壽命較長的Au—Si_3N_4—Al復合梁MEMSOMAL開關。樣品的測試結果都到達了隔離度30dB@5GHz,插入損耗小于2dB@5GHz的要求。此外,我們還對MEMSOMAL開關的商品化進行了研究。對制備出的MEMSOMAL開關的樣品進行了封裝和初步測試。 以射頻/微波MEMS接觸式OMAL開關這一重要的微波器件為研究對象,對該器件工作原理、模擬、設計、加工、測試到封裝進行了較全面的研究。設計了一種適合接觸式OMAL開關的空氣橋式結構,并對OMAL開關制備中的重要工藝——犧牲層技術進行了研究。RFMEMSOMAL開關的工作原理和基本結構,給出采用Ansys有限元分析方法仿真RF MEMSOMAL開關的流程及方案。對一種新型的低驅動電壓RF MEMSOMAL開關,使用Ansys有限元軟件進行分析院靜態分析求解OMAL開關的下拉電壓,動態分析得到OMAL開關時間,并給出該OMAL開關的應用實例。
射頻/微波MEMS接觸式歐瑪爾OMAL開關的研究
實驗結果顯示的MEMSOMAL開關的設計是合理的,工藝實現是可行的,實際器件特性與理論分析是*的,說明了MEMS系統可應用于射頻/微波通信領域,該技術具有巨大的發展潛力。
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