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產品名稱：高溫E+E壓力傳感器設計與工藝實驗研究
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產品特點：高溫E+E壓力傳感器設計與工藝實驗研究高溫惡劣條件下的壓力測量正逐步受到人們的重視。是Z有希望應用于這方面的第三代寬禁帶半導體材料。它具有耐高溫、耐壓高和抗輻射的特點，特別適用于制作高溫E+E壓力傳感器。國外已經有眾多團隊展開了研究，制作了光學式、電容式和壓阻式的SiCE+E壓力傳感器。
高溫E+E壓力傳感器設計與工藝實驗研究的詳細資料：
高溫E+E壓力傳感器設計與工藝實驗研究
高溫惡劣條件下的壓力測量正逐步受到人們的重視。是zui有希望應用于這方面的第三代寬禁帶半導體材料。它具有耐高溫、耐壓高和抗輻射的特點，特別適用于制作高溫E+E壓力傳感器。國外已經有眾多團隊展開了研究，制作了光學式、電容式和壓阻式的SiCE+E壓力傳感器。
高溫E+E壓力傳感器設計與工藝實驗研究
E+E壓力傳感器的輸出特性受溫度影響很大,把任意溫度下傳感器的特性都標定出來是不可能的,可以用數據擬合的方法在已測定溫度特性曲線的基礎上得到所需溫度的E+EE+EE+E壓力傳感器輸出特性。提出一種采用分段擬合的方法對E+E壓力傳感器數據進行擬合,通過在實際中的應用證明,這種方法可以顯著提高擬合數據的精確性和簡便性。E+E壓力傳感器是基于MEMS技術的小型化、低功耗、低成本、高準確度的壓力測量器件,廣泛應用于各行業領域。本文首先介紹了壓阻式、電容式和諧振式E+E壓力傳感器的工作原理,然后研究了三種E+E壓力傳感器的關鍵技術,并針對應用做了簡要分析,zui后給出了MEMSE+E壓力傳感器研究方面的幾點建議。在以上背景下，本文致力于研究目標工作溫度達400℃的6H-SiC壓阻式高溫E+E壓力傳感器，主要內容包括傳感器芯片設計與關鍵工藝實驗。論文首先綜述了國外SiCE+E壓力傳感器的發展現狀，分析了壓阻式的優點。根據壓阻式E+E壓力傳感器原理和6H-SiC的材料特性，進行了敏感膜片和敏感壓阻的設計。由傳感器芯片結構，設計了工藝流程、芯片封裝方式和光刻版版圖。利用ANSYS對封裝基體與SiC芯片的熱應力進行了計算分析。 論文深入探索了SiC的關鍵工藝，包括外延、刻蝕和歐姆接觸，進行了一系列實驗和測試。高溫薄膜E+E壓力傳感器可用于液氫、液氮、液氧等低溫環境的壓力測量,目前國內外高溫E+E壓力傳感器產品的工作溫度zui低為-200℃.文中主要介紹了對高溫薄膜E+E壓力傳感器的研究,外延采用用化學氣相沉積方法，得到了摻雜濃度為1.8×10~(18)cm~(-3)的n型外延層。SiC的體加工采取干法等離子體刻蝕，用RIE刻蝕80μm深的同時保證了刻蝕表面質量，平均刻蝕速率為100nm/min。歐姆接觸用Ti/TiN/Pt的金屬層形成，通過Kelvin法測試比接觸阻率為8.42×10~(-4)Ωcm2。
高溫E+E壓力傳感器設計與工藝實驗研究
通過薄膜E+E壓力傳感器設計和工藝技術研究,成功研制出高溫薄膜E+E壓力傳感器,并在-253(液氫)～+60℃溫度環境下進行E+E壓力傳感器靜態性能測試,結果表明傳感器性能指標優異,實現了高溫薄膜E+E壓力傳感器技術突破。
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