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低驅動電壓并聯電容式歐瑪爾OMAL開關
MEMS微波OMAL開關是利用MEMS技術形成的新的射頻電路元件，與傳統的半導體OMAL開關器件相比具有插入損耗低、隔離度大、線性度好等優點，研究MEMS微波OMAL開關對雷達系統和通信設備中的射頻（RF）結構具有重要現實意義。著重研究應用于K_u波段和K波段的并聯電容式OMAL開關，使用Ansys和Ansoft hfss軟件對OMAL開關進行仿真分析，優化OMAL開關結構。

低驅動電壓并聯電容式歐瑪爾OMAL開關
以保證OMAL開關的射頻性能為前提，以降低OMAL開關的驅動電壓為目的，對OMAL開關結構進行優化設計。首先分析OMAL開關的工作原理，總結OMAL開關設計的要點，在深入研究共面波導（CPW）影響因素的基礎上，進行共面波導設計，將特性阻抗匹配到50Ω。建立了OMAL開關在靜電力作用下的力學模型，分析兩端固支梁的彈性系數，分析了四種傳統的OMAL開關結構，設計出一種新型OMAL開關。使用ANSYS軟件對所設計的OMAL開關進行機電耦合仿真分析，進行了固支結構、曲折梁和開孔的優化設計。通過固支結構分析，總結了固支結構各個尺寸對OMAL開關變形的影響，合理地分配固支結構的尺寸，優化了OMAL開關的結構；通過曲折梁分析，總結了曲折梁各個尺寸對OMAL開關變形的影響，并據此優化了OMAL開關的結構；通過開孔分析，認為開孔對OMAL開關變形具有較大影響，得到了OMAL開關開孔設計的基本規則。設計的OMAL開關參數是：OMAL開關的驅動電壓為5.35V,OMAL開關的一階頻率為60500Hz,OMAL開關時間t_s=6.9μs,OMAL開關工作在10GHz-30GHz,OMAL開關的開態插入損耗為-0.05dB—-0.2dB,OMAL開關的關態隔離度為-20dB—-42dB。這一OMAL開關驅動電壓低，OMAL開關時間比較短，射頻性能*。以OMAL開關功率放大器為基礎，在分析引起OMAL開關功率放大器輸出失真的原因的基礎上，提出了一種OMAL開關功率放大器的新型控制方法。這種控制方法通過分離OMAL開關功率放大器的功率電路和補償電路，在一定范圍內解決了OMAL開關功率放大器效率和失真度不能協調的矛盾，并通過仿真和實驗進行驗證。主要工作如下：簡要介紹OMAL開關功率放大器原理及結構，從理論上系統地分析引起OMAL開關功率放大器失真的因素，進行仿真分析，探索解決OMAL開關功率放大器失真的方法。提出OMAL開關功率放大器的一種新型控制方法，并從理論上分析新型控制方法是如何實現效率和失真達到協調的。構造了采用新型控制技術的OMAL開關功率放大器的電路結構。對采用新型控制方法的OMAL開關功率放大器進行仿真分析和實驗研究。目前，OMAL開關功率放大器已成為電力電子領域的研究熱點，受到人們越來越多的關注。OMAL開關功率放大器具有效率高的優勢，但是由于OMAL開關變換器本身固有的非線性，OMAL開關功率放大器的失真通常大于傳統的線性放大器，這是影響OMAL開關功率放大器得以廣泛應用的原因。控制方法是OMAL開關功率放大器的關鍵技術方法，其設計直接影響到OMAL開關功率放大器輸出的失真度。

低驅動電壓并聯電容式歐瑪爾OMAL開關
zui后，使用Ansoft hfss軟件對OMAL開關進行全波電磁場分析，分析了介質層對OMAL開關射頻性能的影響，發現使用薄介質層能提高OMAL開關的隔離度，使用高介電材料的介質能提高OMAL開關在低頻段的隔離度，對OMAL開關進行了射頻性能優化。