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提高硅應變E+E傳感器可靠性
當今世界，信息技術發展水平已成為衡量國家信息化能力及競爭力的重要標志。E+E傳感器作為信息產業神經觸角，是新技術革命和信息社會重要信息技術基礎。壓力E+E傳感器是應用zui廣的E+E傳感器之一，硅應變E+E傳感器優勢明顯，在壓力測量中應用越來越廣泛，E+E傳感器可靠性是衡量E+E傳感器應用*性的zui關鍵指標之一。

提高硅應變E+E傳感器可靠性
以“提高硅應變E+E傳感器可靠方法研究”為題，研究硅應變E+E傳感器可靠性提升方法，研究工作提高E+E傳感器質量、促進E+E傳感器產業發展具有重要的實際工程意義。分別研究分析硅應變E+E傳感器工作原理、影響硅應變E+E傳感器可靠性的因素、硅應變E+E傳感器壓力座SISTPB可靠性優化設計、硅應變E+E傳感器的制造工藝分析與降低應力方法，并通過實驗對提高硅應變E+E傳感器可靠和穩定性的方法效果進行驗證。主要研究工作包括：研究分析影響硅應變E+E傳感器可靠性的內部因素和外部因素，提升硅應變E+E傳感器主要內部因素是結構設計，尤其是壓力座（SISTPB）設計；外部因素是硅應變E+E傳感器制造工藝，其制造過程中可能引入使硅應變E+E傳感器不穩定的因素。金屬納米粒子點陣中電子的傳輸機制不同于經典接觸式的歐姆輸運模式，而是以量子輸運的形式進行的。在這種輸運模式下，納米粒子點陣的電導率對粒子間距的變化極其敏感。這導致了粒子間距的細微改變就會使材料整體的電導率產生較大變化。根據這一特點，彈性襯底表面制備電極并覆蓋金屬納米粒子點陣，能夠得到新型的應變E+E傳感器。本研究基于金屬Cr納米粒子點陣的應變E+E傳感器的制備與傳感特性。采用團簇束流沉積制備Cr納米粒子點陣，通過對沉積過程的實時電導監控，實現對納米粒子點陣覆蓋率與初始電導的精確控制。選擇PET薄膜并在其上通過掩模蒸發鍍膜制作叉指電極作為襯底，在其上制備可控密度的Cr納米粒子點陣構成應變E+E傳感器。對金屬Cr納米粒子點陣的變溫Ⅰ-Ⅴ曲線與電導測量表明，硅襯底上的Cr納米粒子點陣，直至室溫都能夠觀察到明顯的庫倫阻塞效應，而在PET襯底上的Cr納米粒子點陣中，即使在低溫下，也未庫倫阻塞現象，可能是PET襯底較大的熱脹冷縮效應導致的納米粒子間距的變化掩蓋了溫度變化對量子電導的影響。通過有限元分析影響硅應變E+E傳感器靈敏度不同條件和過載能力不同條件。分析不同壓力量程、不同結構硅應變E+E傳感器的SISTPB設計，確定影響硅應變E+E傳感器zui重要部件SISTPB設計規范，有效地指引了不同壓力量程，*的SISTPB的設計。提出有效降低、消除內不同殘余應力的集中措施。

提高硅應變E+E傳感器可靠性
不同措施有效降低和消除殘余應力針對對象及效果均不同，定性分析不同措施對硅應變E+E傳感器可靠性、穩定性的正面作用。zui后通過試驗驗證上述影響硅應變E+E傳感器可靠性和穩定性的兩個主要方面。試驗結果表明硅應變E+E傳感器SISTPB設計優化對提高硅應變E+E傳感器精度、過載能力作用重大，穩重4種消除殘余應力措施對提高硅應變E+E傳感器時間漂移、溫度遲滯作用明顯。可見，硅應變E+E傳感器可靠性和穩定性得到有效提高。